Филиппов  Владимир Владимирович   (Д.ф.-м.н., доцент, Липецкий казачий институт технологии и управления (филиал) ФГБОУ ВО «Московский государственный университет технологии и управления имени К.Г. Разумовского (ПКУ)»; Липецкий государственный педагогический университет им. П.П. Семенова-Тян-Шанского, г. Липецк)
                
            
            
                Зияутдинов  Владимир Сергеевич   (К.п.н., доцент, Липецкий казачий институт технологии и управления (филиал) ФГБОУ ВО «Московский государственный университет технологии и управления имени К.Г. Разумовского (ПКУ)», г. Липецк)
                
            
            
                Смирнов  Михаил Юрьевич   (К.ф.-м.н., доцент, Липецкий казачий институт технологии и управления (филиал) ФГБОУ ВО «Московский государственный университет технологии и управления имени К.Г. Разумовского (ПКУ)», г. Липецк)
                
            
            
                Богоносов  Константин Александрович   (К.т.н., доцент, ФГБОУ ВО «Московский государственный университет технологии и управления имени К.Г. Разумовского (ПКУ)», г. Москва)
                
            
            
    
        
            
            
                
                    
                        |   | 
                        
                         В современной функциональной электронике и микроэлектронике все чаще получают применение материалы с ярко выраженным характером анизотропии электрофизических свойств. Свойства анизотропии связаны не только с характером их кристаллического строения, но и с миниатюризацией структурных элементов в полупроводниковых системах. Активное практическое применение данных полупроводников в функциональной электронике требует качественного математического описания кинетических явлений электронного переноса в объеме кристалла и на контактах его с металлом. В работе произведен математический и компьютерный расчет электрических полей постоянных токов в полупроводниках с выраженной анизотропией удельной электропроводности с последующим теоретическим анализом полученных распределений электрических полей. Материал статьи будет интересен всем, кто занимается как моделированием физических свойств анизотропных полупроводниковых материалов, так и непосредственно исследующим такие материалы в эксперименте. 
                        Ключевые слова:математическая модель, анизотропный материал, распределение электрического поля, компьютерное моделирование, полупроводник, функциональная электроника 
                         | 
                     
                
             
             | 
        
        
            |   | 
        
        
            | 
             Читать полный текст статьи …  
             | 
        
        
             
             
            
                
                    
                         Ссылка для цитирования: Филиппов  В. В., Зияутдинов  В. С., Смирнов  М. Ю., Богоносов  К. А.  Особенности стационарных электрических полей в ограниченных анизотропных полупроводниках // Современная наука: актуальные проблемы теории и практики. Серия: Естественные и Технические Науки. -2022. -№08. -С. 131-137 DOI 10.37882/2223-2966.2022.08.37 | 
                         | 
                     
                
             
             |